半导体存储器件与其制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种半导体存储器件与其制作方法。其中，半导体存储器件包括一半导体基板、字线结构，位在所述半导体基板中、位线结构，位在所述字线结构之上并跨过所述字线结构、间隔物结构，位在所述字线结构正上方并介于所述位线结构之间、存储节点接触结构，位于所述位线结构与所述间隔物结构所界定出的空间中并与所述半导体基板连接，所述存储节点接触结构突出于所述位线结构与所述间隔物结构的顶面上的部位为接触垫、以及接触垫隔离结构，位于所述间隔物结构上方以及所述位线结构上方并介于所述接触垫之间，其中所述接触垫隔离结构包含氮化硅材质的外层以及氧化硅材质的内层。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件与其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111584489A
申请号 ：
CN202010478418.9
公开（公告）日 ：
2020-08-25
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN111584489B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
张钦福林昭维朱家仪童宇诚
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王晓玲
优先权 ：
CN202010478418.9
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-09-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200529
申请日 : 20200529
2020-08-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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