半导体存储器件
公开
摘要
一种半导体存储器件，包括：在第一方向上延伸的位线；在位线上的沟道图案，该沟道图案包括彼此面对的第一垂直部分和第二垂直部分以及连接第一垂直部分和第二垂直部分的水平部分；第一字线和第二字线，提供在水平部分上并且在第一垂直部分和第二垂直部分之间，并且在与位线交叉的第二方向上延伸；以及栅极绝缘图案，提供在第一字线和沟道图案之间以及在第二字线和沟道图案之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284269A
申请号 ：
CN202111134033.1
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李基硕李炅奂金桐晤金容锡金熙中赵珉熙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
翟然
优先权 ：
CN202111134033.1
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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