提供了一种用于在半导体装置中形成电容器之存储节点的方法。此方法包括下述步骤：在半完成之基板上形成层间绝缘层；蚀刻所述层间绝缘层以形成多个第一接触孔；在第一接触孔之侧壁上形成第一绝缘层；形成填充到第一接触孔内之多个存储节点接触塞；在所述存储节点接触塞上以与第一绝缘层不同之蚀刻率形成第二绝缘层；在第二绝缘层上形成第三绝缘层；顺序地蚀刻第三绝缘层及第二绝缘层以形成暴露所述存储节点接触塞之多个第二接触孔；及在每个第二接触孔上形成所述存储节点。