半导体装置及其形成方法

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摘要

本发明提供一种半导体装置及其形成方法，此半导体装置包括基底，栅极电极形成于基底上，栅极间隔物形成于栅极电极的两侧，源/漏极区域形成于基底中，以及导电区域形成于源/漏极区域上，导电区域包括第一导电区域以及第二导电区域，其中第二导电区域形成于第一导电区域以及栅极间隔物之间，第一导电区域的顶部表面是低于第二导电区域的顶部表面，且上述二顶部表面相差一台阶的高度。本发明所述半导体装置及其形成方法，在沟道区域中的拉伸应力得到提升的同时，亦能有效抑制电流拥挤效应的发生，使装置的驱动电流得以改善，且装置的漏电流亦可得以降低。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1897303A

申请号：

CN200610001770.3

公开（公告）日：

2007-01-17

申请日：

2006-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王志豪王大维蔡庆威

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

优先权：

CN200610001770.3

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336