半导体装置及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，包括一基底，多个第一图案与多个第二图案设置在该基底上，各该第一图案包含有一第一主体部分以及一第一延伸部分相互连接，各该第二图案包含有一第二主体部分以及一第二延伸部分相互连接，其中，该第一主体部分与该第二主体部分均包含有至少一弧状图案，以及至少一接触结构，与该第一图案或与该第二图案重叠。藉此，本发明即可利用自对准双重图案化制作工艺配合图案化掩膜层来形成布局相对密集且尺寸相对微小的特定图案，以利于后续组件制作工艺的进行。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512476A
申请号 ：
CN202210146892.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张钦福冯立伟童宇诚
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈超德
优先权 ：
CN202210146892.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/528 H01L21/3213
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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