半导体装置及其形成方法
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摘要
本发明提供一种半导体装置及其形成方法，此半导体装置包括半导体基底、隔离区域、栅极结构、第一掺杂区域以及第二掺杂区域，此半导体基底为第一导电型态，且半导体基底具有沟槽，此沟槽包括底部区域与侧壁区域，隔离区域形成于沟槽的底部区域上，栅极结构覆盖于沟槽的侧壁区域上，第一掺杂区域为第二导电型态，第一掺杂区域形成于半导体基底上，并邻近于沟槽与栅极结构，第二掺杂区域为第一导电型态，并形成于第一掺杂区域上，且接近半导体基底的表面。本发明可进一步地降低暗信号，并改善短波长光线的光照敏感性。可有效控制位于浅沟槽隔离结构侧壁上的浅接面，使固定式光电二极管与浅沟槽隔离结构能更为相容。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1925164A
申请号 ：
CN200610003159.4
公开（公告）日 ：
2007-03-07
申请日 ：
2006-02-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨敦年
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610003159.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/8234
法律状态
2008-11-26 ：
授权
2007-05-02 ：
实质审查的生效
2007-03-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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