半导体装置及形成半导体装置的方法
公开
摘要
一种半导体装置及形成半导体装置的方法，在一些实施方式中，一或多个半导体处理工具可沉积第一介电层于半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积浮动栅极于第一介电层上。一或多个半导体处理工具可沉积第二介电层于浮动栅极上与半导体装置的基板上。一或多个半导体处理工具可沉积第一控制栅极于第二介电层的一第一部分上。一或多个半导体处理工具可沉积第二控制栅极于第二介电层的一第二部分上，其中第二介电层的第三部分位于第一控制栅极与浮动栅极之间以及位于第二控制栅极与浮动栅极之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及形成半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464679A
申请号 ：
CN202110303986.X
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沈宇骏任啟中洪雅琪林玉珠江文智
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110303986.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/788 H01L21/336 H01L29/423
法律状态
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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