半导体装置及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体装置及其形成方法。一种用于形成多层导电结构的方法，其包含：形成第一导电部分；在所述第一导电部分上形成其中含有钌(Ru)的第二导电部分；在所述第二导电部分上形成第三导电部分；以及对所述第二导电部分执行硅化过程。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446874A
申请号 ：
CN202111214392.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
祐川光成大宫翔吾井内康贵池淵義徳
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202111214392.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48 H01L23/522 H01L23/532 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20211019
申请日 : 20211019
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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