半导体装置及其形成方法
授权
摘要
于一例示性面向中，一种半导体装置的形成方法，包括：提供半导体结构，此半导体结构具有基底、于基底上方的一或多个第一介电层、于一或多个第一介电层中的第一金属插塞，以及于一或多个第一介电层与第一金属插塞上方的一或多个第二介电层。此方法还包括：蚀刻导通孔(via hole)至一或多个第二介电层中以暴露第一金属插塞，蚀刻第一金属插塞的表面以于其上形成凹槽，以及施加包含金属腐蚀抑制剂的金属腐蚀保护剂至第一金属插塞的顶表面。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110323180A
申请号 ：
CN201811376134.8
公开（公告）日 ：
2019-10-11
申请日 ：
2018-11-19
授权号 ：
CN110323180B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
汪于仕毛贤为叶明熙黄国彬
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN201811376134.8
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-11-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20181119
申请日 : 20181119
2019-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
