半导体装置及其形成方法
公开
摘要
本揭露描述一种半导体装置及其形成方法。形成具有受控掺杂的栅极介电层的半导体装置的方法包括形成栅极介电层于鳍状结构上、形成扩散阻障层于栅极介电层上，以及形成掺质来源层于扩散阻障层上。栅极介电层包括在鳍状结构上的界面层及在界面层上的高k值介电层。掺质来源层的掺质扩散至栅极介电层内。此方法还包括以掺质掺杂界面层的一部分及移除掺质来源层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446880A
申请号 ：
CN202110540304.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-05-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
摩尔·沙哈吉·B萨万特·钱德拉谢卡尔·普拉卡斯
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110540304.7
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/8238 H01L27/088 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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