半导体装置与其形成方法
公开
摘要
一种半导体装置与其形成方法，在一实施例中，一种方法包括形成相邻于基板的多个鳍片，这些鳍片包含第一鳍片、第二鳍片及第三鳍片；形成相邻于鳍片的第一绝缘材料；减少第一绝缘材料的厚度；在减少第一绝缘材料的厚度以后，形成相邻于第一绝缘材料及鳍片的第二绝缘材料；以及使第一绝缘材料与第二绝缘材料凹陷以形成第一浅沟槽隔离区域。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置与其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628330A
申请号 ：
CN202110418889.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-04-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈思颖薛森鸿王立廷张惠政杨育佳
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110418889.5
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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