半导体装置的形成方法
授权
摘要
半导体装置的形成方法包含在介电层上方形成阻障层，阻障层中的杂质的浓度随着阻障层延伸远离介电层而增加，以及进行等离子体制程以处理阻障层。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110660729A
申请号 ：
CN201910500647.3
公开（公告）日 ：
2020-01-07
申请日 ：
2019-06-11
授权号 ：
CN110660729B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
郭家邦李亚莲
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
韩旭
优先权 ：
CN201910500647.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2020-02-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190611
申请日 : 20190611
2020-01-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
