半导体装置及形成半导体装置的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法，特别涉及一种栅控PIN二极管其形成其的方法。栅控PIN二极管包括一半导体基底；一栅极介电层，形成在半导体基底之上；一栅极，形成在栅极介电层之上；一源栅极间隔及一漏栅极间隔，沿着栅极介电层与栅极的各自侧边而配置；一源极，与一第一型的掺杂物掺杂，实质上在源栅极间隔的下方，且与栅极的一第一侧边之间具有一水平距离；一漏极，与一第二型的掺杂物掺杂，实质上延伸至漏栅极间隔的下方，且实质上与栅极的一第二侧边垂直对齐，其中，第一型与第二型相反；一源极硅化物，相邻于源极；以及一漏极硅化物，相邻于漏极。本发明偏移区的形成更为精确，使得累增崩溃机制控制的更好。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及形成半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1783514A
申请号 ：
CN200510115438.5
公开（公告）日 ：
2006-06-07
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈宏玮李文钦柯志欣季明华葛崇祜
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510115438.5
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2008-07-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-02 ：
实质审查的生效
2006-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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