半导体装置及其形成方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体装置及其形成方法，该半导体装置包含基底与材料层。基底具有第一区域，材料层则是设置在基底上。材料层包含呈阵列排列的多个第一图案、多个第二图案与两个第三图案，其中，第一图案设置在第一区域，第二图案设置在第一区域的两相对外侧，而第三图案设置在第一区域的另两相对外侧且部分合并于部分的各个第一图案与部分的各个第二图案。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534525A
申请号 ：
CN201810509842.8
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2018-05-24
授权号 ：
CN110534525B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
张峰溢童宇诚李甫哲林盈志
申请人 ：
联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201810509842.8
主分类号 ：
H01L27/11565
IPC分类号 ：
H01L27/11565 H01L27/11568
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11565
申请日 : 20180524
申请日 : 20180524
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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