形成半导体装置布局的方法
授权
摘要
本发明公开一种形成半导体装置布局的方法，包含：形成多个第一线图案，其中第一线图案在一第一区以及一第二区沿着一第一方向延伸，在位于第一区及第二区之间的一边界区沿着一第二方向延伸；形成多个第二线图案，其中第二线图案在第一区及第二区沿着一第三方向延伸，在位于第一区及第二区之间的边界区沿着一第四方向延伸，故在边界区中第一线图案及第二线图案的重叠区域之间的最小距离大于在第一区及第二区中第一线图案及第二线图案的重叠区域之间的最小距离；进行一修整制作工艺，遮蔽在边界区中及第二区中的第一线图案及第二线图案。
基本信息
专利标题 ：
形成半导体装置布局的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110707082A
申请号 ：
CN201811172594.9
公开（公告）日 ：
2020-01-17
申请日 ：
2018-10-09
授权号 ：
CN110707082B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
王嘉鸿刘恩铨陈建豪李修申陈宜廷李钊豪
申请人 ：
联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201811172594.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L27/108 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20181009
申请日 : 20181009
2020-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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