半导体装置的形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体装置的形成方法，包含以下步骤。提供衬底，于衬底上形成多条位线，于衬底上形成多个触点并与位线交替且分隔地设置。于衬底上形成多个间隙壁结构，位在各位线以及各触点之间。进行沉积制作工艺，于衬底上形成导电层，填满相邻的间隙壁结构之间并覆盖位线上方，其中，导电层内包括多个气孔。进行离子注入制作工艺，形成多个掺杂区以分别填满气孔。透过离子注入制作工艺可诱使导电层内的原子重新排列，形成掺杂区以填补导电层内的气孔，藉此，可改善半导体装置中存储节点插塞的结构稳定性，进而优化装置效能。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388446A
申请号 ：
CN202210117816.7
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄鑫吴家伟
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈超德
优先权 ：
CN202210117816.7
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20220208
申请日 : 20220208
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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