半导体装置及其形成方法

实质审查的生效

摘要

本发明公开一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包括基底、第一内连接层以及第二内连接层。第一内连接层设置在基底上，第一内连接层包括第一介电层环绕多个第一磁隧穿结结构。第二内连接层设置在第一内连接层上，第二内连接层包括第二介电层环绕多个第二磁隧穿结结构，第二磁隧穿结结构以及第一磁隧穿结结构相互交替地沿着一方向排列。半导体装置可在制作工艺空间许可的前提下，获得缩小化的位单元尺寸进而提高元件集成度。

基本信息

专利标题：

半导体装置及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114373861A

申请号：

CN202011102693.7

公开（公告）日：

2022-04-19

申请日：

2020-10-15

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李国兴林俊贤薛胜元

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN202011102693.7

主分类号：

H01L43/12

IPC分类号：

H01L43/12 H01L27/22 H01L43/08

法律状态

2022-05-06 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 43/12
申请日 : 20201015

2022-04-19 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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