半导体装置及其形成方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体装置及其形成方法，半导体装置包含基底、第一插塞、接触垫与电容结构。第一插塞则设置在基底上，而接触垫则设置在第一插塞上，使接触垫的顶角处具有凹陷肩部。电容结构设置在接触垫上并与接触垫直接接触。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110707085A
申请号 ：
CN201811042190.8
公开（公告）日 ：
2020-01-17
申请日 ：
2018-09-07
授权号 ：
CN110707085B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
张峰溢李甫哲张翊菁黄楷珞
申请人 ：
联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201811042190.8
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-02-18 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20180907
申请日 : 20180907
2020-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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