半导体装置及其形成方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包含：一栅介电层于一基底中的一沟道区上；一栅极于上述栅介电层上；一栅极介电层置于上述栅极的侧缘；以及实质上与上述栅极介电层的侧缘对齐的一源/漏极区。其中上述源/漏极区具有：第一掺杂区与上述栅极部分重叠；第二掺杂区，其与上述沟道区的距离大于该第一掺杂区与上述沟道区的距离；以及第三掺杂区，其与上述沟道区的距离大于上述第二掺杂区与上述沟道区的距离。上述源/漏极区较好为具有与上述栅极间隔物有一既定间隔的外延区。本发明所述半导体装置及其形成方法可降低源/漏极区与沟道区之间的片电阻，并提升漏极饱和电流。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1897231A
申请号 ：
CN200510131855.9
公开（公告）日 ：
2007-01-17
申请日 ：
2005-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑水明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510131855.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-09-09 ：
授权
2007-03-14 ：
实质审查的生效
2007-01-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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