半导体装置和其形成方法
公开
摘要
一种半导体装置和其形成方法,半导体装置包括从基板延伸的第一鳍片、在第一鳍片上且沿着第一鳍片的侧壁的第一栅极堆叠、沿着第一栅极堆叠的侧壁配置的第一栅极间隔物以及在第一鳍片中且邻近第一栅极间隔物的第一磊晶源极/漏极区域,第一磊晶源极/漏极区域的外表面在第一平面具有多于八个晶面,第一平面正交于基板的顶表面。
基本信息
专利标题 :
半导体装置和其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114551578A
申请号 :
CN202110280302.9
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2021-03-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
唐瀚楀张宏台游明华杨育佳
申请人 :
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 :
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 :
徐金国
优先权 :
CN202110280302.9
主分类号 :
H01L29/08
IPC分类号 :
H01L29/08 H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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