半导体装置与其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体装置与其形成方法，半导体装置包括半导体基板、在半导体基板上的栅极氧化层以及在栅极氧化层上的栅极。栅极包括在栅极氧化层上的第一多晶硅层、在第一多晶硅层上的含氮的间层、在间层上的第二多晶硅层、在第二多晶硅层上的金属堆叠以及在金属堆叠上的覆盖层。借此，本发明的半导体装置，借由改变间层的材料或是增加间层数量，提高了多晶硅层对掺杂物穿透的阻力，进而降低了栅极漏电流发生的可能性。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置与其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497218A
申请号 ：
CN202011392110.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄崇勋
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
浦彩华
优先权 ：
CN202011392110.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/49 H01L21/336
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20201202
申请日 : 20201202
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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