半导体装置结构及其形成方法
公开
摘要
提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括基板。半导体装置结构包括第一纳米结构，位于基板上。半导体装置结构包括栅极堆叠，位于基板上且围绕第一纳米结构。半导体装置结构包括第一源极/漏极层，围绕第一纳米结构且邻近栅极堆叠。半导体装置结构包括接触结构，围绕第一源极/漏极层，其中接触结构的第一部分位于第一源极/漏极层与基板之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597250A
申请号 ：
CN202210020735.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨世海杨柏峰蔡庆威
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210020735.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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