半导体装置结构及其形成方法
公开
摘要
一种半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括：第一源极/漏极磊晶特征结构，设置在NMOS区域中；第二源极/漏极磊晶特征结构，设置在NMOS区域中；第一介电特征结构，设置在第一源极/漏极磊晶特征结构与第二源极/漏极磊晶特征结构之间；第三源极/漏极磊晶特征结构，设置在PMOS区域中；第二介电特征结构，设置在第二源极/漏极磊晶特征结构与第三源极/漏极磊晶特征结构之间；及导电特征结构，设置在第一源极/漏极磊晶特征结构、第二源极/漏极磊晶特征结构、第三源极/漏极磊晶特征结构与第一介电特征结构、第二介电特征结构上方。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597207A
申请号 ：
CN202110424268.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-04-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
摩尔·沙哈吉·B马佳瑛李承翰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202110424268.8
主分类号 ：
H01L27/092
IPC分类号 ：
H01L27/092 H01L21/8238
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
H01L27/092
互补MIS场效应晶体管
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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