半导体装置的形成方法
公开
摘要
本公开提供了一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，形成半导体装置的例示性方法包括形成从基板的前侧延伸的鳍片结构，凹蚀鳍片结构的源极区以形成源极开口，在源极开口下方形成半导体插塞，平坦化基板以从基板的背侧露出半导体插塞，进行预非晶布植(pre‑amorphous implantation,PAI)制程使基板非晶化，用介电层替换非晶化基板，用背侧源极接触件替换半导体插塞。通过进行PAI制程，将晶体半导体非晶化且可实质上移除。因此，可有利地改善半导体结构的性能及可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597172A
申请号 ：
CN202210020504.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄柏瑜李振铭吴以雯杨复凯王美匀
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN202210020504.4
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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