用于半导体器件的存储电容器及形成该存储电容器的方法
授权
摘要
用于形成存储电容器的方法包括：在半导体衬底上形成具有通过其的开口的层间绝缘层；在该开口内形成接触栓塞；在层间绝缘层和接触栓塞上形成模制氧化物层；选择性地去除部分模制氧化物层，以在接触栓塞之上形成凹槽；在该凹槽的下表面和侧面上形成钛层；在该钛层上形成氮化钛层；以及在该氮化钛层上形成氮氧化钛层。存储电容器包括：半导体衬底；层间绝缘层，位于半导体衬底上，具有形成在其上的接触栓塞；以及存储电极，位于接触栓塞上，包括位于硅化钛层、位于该硅化钛层上的氮化钛层以及位于该氮化钛层上的氮氧化钛层。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体器件的存储电容器及形成该存储电容器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790675A
申请号 ：
CN200510118196.5
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金洛焕曹永周金晟泰朴仁善李铉德李炫锡郑正喜金玄永林炫锡
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510118196.5
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82 H01L21/02 H01L21/00 H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L29/92
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2009-08-05 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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