形成介电膜的方法和利用该方法在半导体器件中形成电容器的方...
专利权的终止
摘要
提供一种在半导体器件中形成介电膜的方法，其中所述方法可以改善介电特性和漏电流特性。依照本发明的具体实施方案，形成介电膜的方法包括：在晶片上形成预定厚度的二氧化锆(ZrO2)层，该厚度不允许形成的ZrO2层连续；在没有形成ZrO2层的晶片部分上形成预定厚度的氧化铝(Al2O3)层，该厚度不允许形成的Al2O3层连续。
基本信息
专利标题 ：
形成介电膜的方法和利用该方法在半导体器件中形成电容器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101084579A
申请号 ：
CN200580043985.5
公开（公告）日 ：
2007-12-05
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉德信洪权廉胜振
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾晋伟
优先权 ：
CN200580043985.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2015-02-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598341258
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005800439855
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20091014
终止日期 : 20131223
号牌文件序号 : 101598341258
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005800439855
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20091014
终止日期 : 20131223
2009-10-14 ：
授权
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2007-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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