蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种使用导电掩模蚀刻介电层的方法，首先提供介电层位于衬底上，形成图案化的导电掩模于介电层上并和衬底相接触，再利用图案化的导电掩模对介电层进行干蚀刻工艺，藉以利用导电掩模分散掉干蚀刻工艺所产生的电荷，故不会蓄积大量电荷在被干蚀刻的介电层上，进而可有效抑制介电层覆盖的金属内连线以及元件发生爆裂的情况。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967785A
申请号 ：
CN200510120487.8
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
施惠绅
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510120487.8
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2013-01-23 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101501193006
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2005101204878
申请公布日 : 20070523
号牌文件序号 : 101501193006
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利申请号 : 2005101204878
申请公布日 : 20070523
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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