蚀刻方法及开口的形成方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种蚀刻方法，可以防止在晶片上形成颗粒，首先于硅材料上形成图案化光致抗蚀剂层。接着，在蚀刻机台中，以图案化光致抗蚀剂层为掩模，利用溴化氢作为反应气体对硅材料进行一个蚀刻工艺。然后，以阶梯式降压的方式关闭蚀刻机台的射频电源，并在蚀刻机台中通入冲净气体进行冲净，同时对蚀刻机台进行抽气。本发明还公开了一种开口的形成方法。
基本信息
专利标题 ：
蚀刻方法及开口的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959939A
申请号 ：
CN200510119310.6
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林义雄谢传贤陈芊蓉邱朝顺
申请人 ：
茂德科技股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510119310.6
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 C23F1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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