同时控制孔径不同开口的孔径差的方法与蚀刻工艺
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摘要
一种同时控制孔径不同开口的孔径差的方法。此孔径不同开口的工艺是先于目标材料层上形成抗反射层及图案化的光致抗蚀剂层,此光致抗蚀剂层具有孔径不同的第一、第二开口图案。接着以光致抗蚀剂层为掩模依序蚀刻抗反射层与材料层,以于对应第一、第二开口图案的材料层中形成第一、第二开口,其中所采用的蚀刻配方使得第一开口的孔径小于第一开口图案,而形成第一孔径差;并使得第二开口的孔径小于第二开口图案,而形成第二孔径差,其与第一孔径差之间的差值称相对孔径差。本方法的特征在于:在蚀刻抗反射层时,将影响前述相对孔径差的一项蚀刻参数设定为第一数值;且在蚀刻材料层时,将此蚀刻参数设定为第二数值,此第二数值异于第一数值。
基本信息
专利标题 :
同时控制孔径不同开口的孔径差的方法与蚀刻工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1971855A
申请号 :
CN200510126850.7
公开(公告)日 :
2007-05-30
申请日 :
2005-11-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
周珮玉廖俊雄
申请人 :
联华电子股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
陶凤波
优先权 :
CN200510126850.7
主分类号 :
H01L21/311
IPC分类号 :
H01L21/311 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的,例如用于掩膜的或应用光刻技术的;以及这些层的后处理;这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2009-12-16 :
授权
2007-07-25 :
实质审查的生效
2007-05-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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