干式蚀刻工艺后的清洗工艺
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种清洗工艺，适于对一芯片进行干式蚀刻工艺后进行。此干式蚀刻工艺是于一反应室中进行。此清洗工艺用以移除上述干式蚀刻工艺的副产物。此清洗工艺包括将不活泼气体导入反应室中，以清洗反应室。然后抽除该反应室的所有气体。此清洗工艺可以避免后续的金属内连线工艺产生缺陷。
基本信息
专利标题 ：
干式蚀刻工艺后的清洗工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959931A
申请号 ：
CN200510119318.2
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-11-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡健华吴宜静
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510119318.2
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-04-08 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-04 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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