用于TFT干刻工艺中的清洗方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种用于TFT干刻工艺中的清洗方法，调整RF的参数对干刻工艺中附着在设备内壁上的沉积物进行再刻蚀，进而清除这些沉积物。本发明无需开腔也能达到一定的清洗效果，可减少沉积物的生成以及由其导致的灰尘，延长设备的使用时间，同时配合湿法清扫(Wet Clean)则可以达到理想的效果并且能节约大量的时间。
基本信息
专利标题 ：
用于TFT干刻工艺中的清洗方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1996549A
申请号 ：
CN200510112267.0
公开（公告）日 ：
2007-07-11
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
储培鸣
申请人 ：
上海广电NEC液晶显示器有限公司
申请人地址 ：
201108上海市闵行区华宁路3388号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
薛琦
优先权 ：
CN200510112267.0
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/311 H01L21/3213 H01L21/336 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2007-07-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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