一种用于湿法工艺的晶圆清洗槽
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摘要

本实用新型公开了一种用于湿法工艺的晶圆清洗槽,包括槽体以及设于所述槽体口部的槽盖,所述槽盖由左盖板和右盖板构成,位于槽体口部的左侧边缘外和右侧边缘外分别设有左转梁和右转梁,所述左盖板的外侧边缘固定在所述左转梁上,所述右盖板的外侧边缘固定在所述右转梁上,所述左盖板和所述右盖板合上后,所述左盖板内侧边缘压在所述右盖板的内边缘,所述左盖板和所述右盖板合上形成的所述槽盖的四周边缘压在所述槽体口部四周边缘平面上。本实用新型实现了槽体口部的全覆盖,使得晶圆清洗槽在清洗晶圆时不会有液体喷溅出来,也不会有气体逸散,腐蚀性液体和气体也不会腐蚀到外部机构。

基本信息
专利标题 :
一种用于湿法工艺的晶圆清洗槽
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921982298.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-15
授权号 :
CN210692498U
授权日 :
2020-06-05
发明人 :
庄海云李志峰王雪松陈佳炜
申请人 :
至微半导体(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市闵行区紫海路170号1幢3层03室
代理机构 :
上海远同律师事务所
代理人 :
张坚
优先权 :
CN201921982298.5
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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