晶圆湿法处理装置
授权
摘要
本实用新型提供一种晶圆湿法处理装置，包括：密闭的工艺腔室，具有可开合的密闭结构，并且内部设有溶液槽，溶液槽对待处理晶圆进行处理，待处理晶圆具有微细小的加工线条或深且窄的孔洞；真空系统，对工艺腔室内的压强进行调控和保持；温度控制系统，对溶液槽加温并进行温度控制；传输系统，用于传输待处理晶圆。通过设置真空系统，在其抽真空过程中形成负压将待处理晶圆上微细小的加工线条或深且窄的孔洞中的气体吸出，并在破真空过程中形成正压使溶液倒灌入微细小的加工线条或深且窄的孔洞中，从而实现对待处理晶圆上的微细小的加工线条或深且窄的孔洞的清洗或腐蚀，大大提高了晶圆清洗的洁净度或大大降低了晶圆腐蚀的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
晶圆湿法处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922078432.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN210722963U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
郝茂盛张楠陈朋袁根如马艳红柳丁亮
申请人 ：
上海芯元基半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
贺妮妮
优先权 ：
CN201922078432.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 C30B33/10
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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