湿法处理装置
授权
摘要
本实用新型实施例公开了一种湿法处理装置，用于处理半导体基材；所述装置包括：容纳处理所述半导体基材所需处理液的第一储液槽；容纳从所述第一储液槽顶部溢出的处理液的第二储液槽；所述第一储液槽具有导流部，所述导流部配置为：在所述第一储液槽内的处理液溢出时沿着倾斜方向流入所述第二储液槽内，所述倾斜方向与所述第一储液槽的深度方向不平行。
基本信息
专利标题 ：
湿法处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922088059.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-26
授权号 ：
CN211017021U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
白靖宇
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
高洁
优先权 ：
CN201922088059.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B08B3/04
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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