多腔室清洗方法和半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种多腔室清洗方法和半导体工艺设备，其中多腔室清洗方法应用于包括多个腔室的半导体工艺设备，各个腔室共用一个气体检测装置，该多腔室清洗方法包括：S410，对各腔室同时进行清洗工艺；S420，采用气体检测装置循环检测处于清洗状态的各腔室中，检测对象在气体生成物中的浓度，并在检测对象的浓度小于设定浓度时，判定对应的腔室清洗完成。本申请能够提高半导体工艺设备各个腔室的清洗效率。
基本信息
专利标题 ：
多腔室清洗方法和半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360997A
申请号 ：
CN202111498391.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
尹凌风张军王帅伟
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202111498391.0
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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