温度补偿方法和半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要

本发明实施例提供了一种温度补偿方法和半导体工艺设备,应用于半导体装备技术领域,该方法包括:获取当前工艺步骤的温控方式和温控配置参数,在温控方式指示降温的情况下,通过温度传感器获取所在温控区域的实际温度,基于温控区域的实际温度和温控配置参数,确定温控区域在降温过程中的目标温度,并从多个温控区域中确定实际温度低于目标温度的目标温控区域,控制目标温控区域内的加热器对目标温控区域进行加热,使目标温控区域的实际温度达到目标温控区域的目标温度。在多个温控区域的降温过程中,当温控区域的实际温度低于目标温度时,控制加热器对温控区域进行加热,对温控区域内的温度进行补充,可以控制多个温控区域内的温度保持一致。

基本信息
专利标题 :
温度补偿方法和半导体工艺设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388405A
申请号 :
CN202111554484.0
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2021-12-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
侯建明王艾刘建涛
申请人 :
西安北方华创微电子装备有限公司;北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
陕西省西安市高新区锦业一路11号国家服务外包示范基地D座4层
代理机构 :
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 :
鲁富国
优先权 :
CN202111554484.0
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211217
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332