半导体工艺设备及其使用方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体工艺设备及其使用方法，其中半导体工艺设备包括反应腔，用于承载晶圆，所述晶圆包括相对的第一面和第二面；位于所述反应腔内的加热装置，所述加热装置包括若干加热单元，各所述加热单元对所述第一面的对应区域独立加热；位于所述反应腔内的薄膜沉积装置，用于对所述第二面进行成膜处理；用于解决不对称形变晶圆的翘曲问题，消除晶圆翘曲在加工工艺中的负面影响，从而提高晶圆的加工质量和性能，为形成高质量的半导体器件做准备。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺设备及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318303A
申请号 ：
CN202111603578.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邢程宋倩倩孙鹏刘伟杰
申请人 ：
芯盟科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海宁市海宁经济开发区隆兴路118号内主办公楼2129室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
田施雨
优先权 ：
CN202111603578.2
主分类号 ：
C23C16/46
IPC分类号 ：
C23C16/46 C23C16/44 C23C16/52 C30B29/06 C30B33/06 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/46
以加热基体的方法为特征的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/46
申请日 : 20211224
申请日 : 20211224
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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