半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要
本申请公开一种半导体工艺设备中的基座与半导体工艺设备，能够提高外延片的合格率。半导体工艺设备中的基座用于承载晶圆，基座包含设置在基座中用于承载晶圆的承载槽，其中：承载槽中设置有支撑环，支撑环的外环边缘与承载槽的侧壁连接，支撑环的内环边缘与承载槽的底壁连接，支撑环通过环形支撑面支撑晶圆，且环形支撑面与承载槽的底壁具有第一预设夹角，支撑环将承载槽分隔为加热槽和调温腔；支撑环通过环形支撑面支撑晶圆时，晶圆与承载槽的底壁具有第一预设距离。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺设备中的基座及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540948A
申请号 ：
CN202210147484.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵宇婷
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202210147484.7
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B25/08 C30B25/10 C30B29/06 H01L21/67 H01L21/687
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/12
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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