基座及半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基座及半导体工艺设备，基座用于在半导体工艺设备的工艺腔室中承载晶圆，包括承载部件、支撑轴、加热部件和温度补偿组件，其中：承载部件用于承载晶圆，支撑轴与承载部件的底部连接，用于支撑承载部件；加热部件设置于承载部件的下方，用于加热承载部件；温度补偿组件包括加热腔和进气管路，加热腔设置于承载部件与支撑轴连接处对应的位置，进气管路的一端与加热气体源连接，另一端与加热腔连通，用于向加热腔中通入加热气体。本发明提供的基座及半导体工艺设备，能够提高晶圆在半导体工艺中的温度均匀性，从而提高外延片的成膜均匀性，提高外延片质量。
基本信息
专利标题 ：
基座及半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114351249A
申请号 ：
CN202111654205.8
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘凯程里
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202111654205.8
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B25/10 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/12
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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