半导体工艺方法和半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种半导体工艺方法，应用于半导体工艺设备中，该半导体工艺方法包括：在当前的晶圆加工任务完成后，确定至少一个清洁模式当前的膜厚累积参数；对于任一清洁模式，当该清洁模式的膜厚累积参数达到该清洁模式对应的预设阈值时，执行该清洁模式对应的腔室清洁任务。本发明提供的半导体工艺方法能够自动在设备每完成一个晶圆加工任务时确定膜厚累积参数，并在任一清洁模式的膜厚累积参数达到对应的预设阈值时，自动控制半导体工艺设备执行该清洁模式对应的腔室清洁任务，实现自动对反应腔室进行清洁，减小膜厚记录误差，并降低用人成本、节约设备维护保养时间。本发明还提供一种半导体工艺设备。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺方法和半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361075A
申请号 ：
CN202111671908.1
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈洪肖托钟结实郭训容刘建涛
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202111671908.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B08B9/027 B08B13/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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