半导体工艺方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体工艺方法；包括如下步骤：调节工艺腔室内的腔室压力，使得工艺结束时腔室压力调节至预设压力，预设压力等于传片压力或低于传片压力且大于对工艺腔室实现最佳清洗效果时的最低腔室压力；于传片压力下将完成工艺处理后的晶圆从工艺腔室内传出。上述半导体工艺方法通过调节工艺腔室内的腔室压力以使得工艺结束时腔室压力调节等于或略低于传片压力，可以显著降低工艺时间及传片自动控压时间，从而有效提高设备产能，降低产品成本。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112750715A
申请号 ：
CN201911036246.3
公开（公告）日 ：
2021-05-04
申请日 ：
2019-10-29
授权号 ：
CN112750715B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
刘曦光
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
汪洁丽
优先权 ：
CN201911036246.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20191029
申请日 : 20191029
2021-05-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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