半导体工艺腔体
实质审查的生效
摘要
本发明揭露一种半导体工艺腔体，其包含一电热耦。电热耦具有一管套，其包覆有内芯导线且具有一下游端及一上游端，所述下游端作为感温部且插入射频所施加的一部件中，所述上游端电连接至一腔体。其特征在于：所述腔体接地，使所述射频于所述管套表面所引起的流动电流能够经由所述腔体流至接地，使射频被屏蔽在所述腔体内。
基本信息
专利标题 ：
半导体工艺腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334728A
申请号 ：
CN202111614005.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谭华强申思黄明策
申请人 ：
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111614005.X
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32 C23C16/505 C23C16/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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