半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备，应用于半导体领域，包括：真空泵本体和加热装置，加热装置包括：外部电源，设置于真空泵本体外；充电板，设置于真空泵本体内，通过外部电源对充电板进行充电；发热结构，设置于真空泵本体的电机转子上，且发热结构与充电板连接，充电板用于提供使发热结构发热的电源输入。通过本发明抑制了副产物在泵内沉积。
基本信息
专利标题 ：
半导体加工工艺、抽真空装置和半导体工艺设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114542425A
申请号 ：
CN202011344666.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐范植高建峰丁云凌杨涛李俊峰王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011344666.0
主分类号 ：
F04B37/14
IPC分类号 ：
F04B37/14 F04B39/06 H01L21/67
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F04
液体变容式机械；液体泵或弹性流体泵
F04B
液体变容式机械；泵
F04B
液体变容式机械；泵
F04B37/00
专门适用于弹性流体的并且其相关特征不包含在F04B 25/00至F04B 35/00组中或与上述各组无关的泵
F04B37/10
用于特殊用途
F04B37/14
获得高真空
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : F04B 37/14
申请日 : 20201126
申请日 : 20201126
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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