晶圆支撑盘及工艺腔体
公开
摘要
本发明提供一种晶圆支撑盘，包含：一底座，界定一容置空间；一盘，容置于所述底座的容置空间且具有一承载面；一轴环，容置于所述底座的容置空间并套设于所述盘的周围；一定位环，具有一顶面、一底部机构和一限制机构，所述底部机构匹配所述轴环和所述底座的配置；以及一替换环，配置于所述底座与所述定位环之间且具有一高度，所述替换环的高度用于决定所述定位环与所述轴环之间是否形成一间隙，藉此阻断所述定位环和所述轴环的热接触。本发明还提供了一种工艺腔体。
基本信息
专利标题 ：
晶圆支撑盘及工艺腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114293176A
申请号 ：
CN202111675008.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈星棋张亚新谈太德
申请人 ：
拓荆科技股份有限公司
申请人地址 ：
辽宁省沈阳市浑南区水家900号
代理机构 ：
上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄海霞
优先权 ：
CN202111675008.4
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458 C23C16/50 H01L21/67
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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