一种工艺腔体
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摘要
本实用新型涉及一种工艺腔体，包括：内层体壁，由所述内层体壁均分而成的内层体壁段；由承载所述内层体壁的承载物均分而成的承载段，所述内层体壁段的数量和所述承载段的数量相等；在所述内层体壁外围设置的至少一个替换体壁段，所述替换体壁段与所述内层体壁段的形状及大小相同；承载并移动所述替换体壁段的轨道段；所述承载段和所述轨道段形状和大小相同，所述承载段和所述轨道段能互换位置。本实用新型通过将所述内层体壁拆分为多个内层体壁段，并在内层体壁外围设置替换体壁段，用于及时替换被污染的内层体壁段，从而可以分批次对内层体壁段进行替换，既不影响生产，也更换了更清洁的内层体壁，减少了对晶圆的污染，提高产品质量。
基本信息
专利标题 ：
一种工艺腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920706790.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-16
授权号 ：
CN209947803U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
沈雪王传中刘庆超柯汎宗黄志凯叶日铨
申请人 ：
德淮半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201920706790.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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