机台腔体监控装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种机台腔体监控装置，包括：温度传感器，用以测量腔体内半导体上覆盖的液体层的温度；图形传感器，用以测量腔体内半导体上覆盖的液体层的形态。据此，采用本实用新型提供的机台腔体的监控装置，能够直接监控清洗或湿法刻蚀化学反应处的实时温度、实时反应物接触情况（液体膜层在半导体上覆盖的情况），从而能够采集到对工艺影响的更直接的技术参数，提升了清洗或湿法刻蚀工艺的工艺精度，扩大了该工艺的适用半导体加工的技术节点范围。
基本信息
专利标题 ：
机台腔体监控装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922091934.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN210778499U
授权日 ：
2020-06-16
发明人 ：
池国维刘厥扬胡展源
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾浩
优先权 ：
CN201922091934.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-06-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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