一种电子束蒸发台蒸发工艺腔体
授权
摘要
本实用新型属涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种电子束蒸发台蒸发工艺腔体，现提出如下方案，其包括；它包含腔体、基座、固定销、耳板、支撑杆、冷泵抽气管道；所述的腔体外的底部固定有数个基座；所述的腔体内的左右两侧均插设固定有数个固定销，固定销的尾端设于腔体的外侧；所述的腔体外的左右两侧均固定有数个耳板，固定销的尾端固定于耳板上，耳板上设有数个一号螺孔；所述的腔体内的下侧固定有数个支撑杆；所述的腔体的顶部设有进气管口，进气管口设于腔体的外侧，腔体的右侧设有冷泵抽气口；可以实现工艺腔体内的高真空密封性，腔体的单位体积小，且硅片装载数量大；而且冷泵抽速快，操作维护方便。
基本信息
专利标题 ：
一种电子束蒸发台蒸发工艺腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021011689.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-04
授权号 ：
CN212247192U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
马溢华
申请人 ：
无锡芯谱半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市会西路30-34(无锡光电新材料科技园内)
代理机构 ：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
韩璐
优先权 ：
CN202021011689.5
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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