半导体工艺腔室及半导体工艺方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种半导体工艺腔室及半导体工艺方法,半导体工艺腔室的多个电源一一对应的与多个匹配部件电连接,负载与至少一个匹配部件电连接,电源用于通过对应的匹配部件向负载输出电能;至少一个匹配部件和负载之间设置有对应的检测部件,检测部件分别与对应的匹配部件和负载电连接,且与控制单元电连接,检测部件用于对自对应的负载耦合向对应的匹配部件的电能进行检测,并将检测结果传输向控制单元;控制单元和与检测部件对应的匹配部件电连接,用于接收并根据检测结果控制与检测部件对应的匹配部件中的可变电容的位置。本发明提供的半导体工艺腔室及半导体工艺方法能够提高射频稳定性,从而提高等离子体稳定性,提高半导体工艺稳定性。

基本信息
专利标题 :
半导体工艺腔室及半导体工艺方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446758A
申请号 :
CN202210073203.8
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨京王炳元韦刚卫晶王景远
申请人 :
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 :
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 :
彭瑞欣
优先权 :
CN202210073203.8
主分类号 :
H01J37/32
IPC分类号 :
H01J37/32  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20220121
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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