工艺腔室及半导体加工设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种工艺腔室及半导体加工设备，该工艺腔室包括腔体及设置在腔体中的基座和多个悬臂，多个悬臂沿基座的周向间隔分布在基座的周围，且每个悬臂连接在基座的侧壁与腔体的侧壁之间，其特征在于，还包括内衬结构，内衬结构间隔地环绕在腔体的侧壁与基座的侧壁之间，且内衬结构上设置有用于供气体通过的栅孔；内衬结构的第一端间隔地位于基座的侧壁外侧，且与基座和悬臂电绝缘；内衬结构的第二端不低于腔体的侧壁顶部，且第二端设置有延伸结构，延伸结构自第二端延伸至腔体或者悬臂上，并与之电导通。本发明提供的工艺腔室及半导体加工设备，其可以提高基座表面不同位置处的电流均匀性，从而可以提高工艺均匀性。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室及半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284176A
申请号 ：
CN202111572624.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵晋荣陈星韦刚王海莉
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN202111572624.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/687 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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