工艺腔室及半导体处理设备
授权
摘要
本发明提供一种工艺腔室及半导体处理设备，该工艺腔室包括腔室主体、与腔室主体的内部连通的遮蔽盘库和遮蔽盘，其中，在腔体主体中设置有基座和第一顶针机构；还包括传输机构，该传输机构包括传输手臂和控温装置，其中，传输手臂能够在腔室主体和遮蔽盘库之间移动，且能够支撑遮蔽盘；控温装置设置在传输手臂上，且在传输手臂移动至腔室主体的内部，且位于与由第一顶针机构承载的被加工工件相对的位置时，用以对被加工工件进行温度控制。本发明提供的工艺腔室，其可以提高温控效率和温控均匀性，而且不会对腔室内的其他零件带来不良影响。
基本信息
专利标题 ：
工艺腔室及半导体处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111986976A
申请号 ：
CN201910430077.5
公开（公告）日 ：
2020-11-24
申请日 ：
2019-05-22
授权号 ：
CN111986976B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
侯珏兰玥佘清李晓强王厚工丁培军
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201910430077.5
主分类号 ：
H01J37/34
IPC分类号 ：
H01J37/34 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
H01J37/34
用阴极溅射工作的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-12-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/34
申请日 : 20190522
申请日 : 20190522
2020-11-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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